NG体育娱乐太阳能简介_百度文库以硅材料的应用开发形成的光电转换产业链条称之为 “光伏产业”，包括高纯多晶硅原材料生产、百度文库阳能 电池生产、太阳能电池组件生产、相关生产设备的制 造等。

　　硅是元素半导体。电活性杂质磷和硼在合格半导体和 多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。拉制单晶时要 掺入一定量的电活性杂质，以获得所要求的导电类型 和电阻率。重金属铜、金、铁等和非金属碳都是极有 害的杂质，它们的存在会使PN结性能变坏。硅中碳含 量较高，低于1ppm者可认为是低碳单晶。碳含量超过 3ppm时其有害作用已较显著。硅中氧含量甚高。氧的 存在有益也有害。直拉硅单晶氧含量在5～40ppm范围 内；区熔硅单晶氧含量可低于1ppm。

　　单晶硅：熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，晶核长 成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结 晶成单晶硅。

　　多晶硅：熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，晶核长 成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结 晶成多晶硅。

　　硅具有优良的半导体电学性质。禁带宽度适中，为1.12电子 伏。载流子迁移率较高，电子迁移率为1350厘米2/伏·秒， 空穴迁移率为480厘米2/伏·秒。本征电阻率在室温(300K) 下高达2.3×105欧·厘米,掺杂后电阻率可控制在104～10-4 欧·厘米的宽广范围内，能满足制造各种器件的需要。硅单 晶的非平衡少数载流子寿命较长,在几十微秒至1毫秒之间。

　　生产电子器件用的硅单晶除对位错密度有一定限制外， 不允许有小角度晶界、位错排、星形结构等缺陷存在。 位错密度低于 200/厘米2者称为无位错单晶，无位错 硅单晶占产量的大多数。在无位错硅单晶中还存在杂 质原子、空位团、自间隙原子团、氧碳或其他杂质的 沉淀物等微缺陷。微缺陷集合成圈状或螺旋状者称为 旋涡缺陷。热加工过程中，硅单晶微缺陷间的相互作 用及变化直接影响集成电路的成败。

　　非平衡载流子寿命 光照或电注入产生的附加电子和空穴瞬即 复合而消失，它们平均存在的时间称为非平衡载流子的寿命。 非平衡载流子寿命同器件放大倍数、反向电流和开关特性等均 有关系。寿命值又间接地反映硅单晶的纯度，存在重金属杂质 会使寿命值大大降低。

　　晶向与晶向偏离度 常用的单晶晶向多为 (111)和(100)（见图）。 晶体的轴与晶体方向不吻合时，其偏离的角度称为晶向偏离度。

　　光伏（Photovoltaic）：是太阳能光伏发电系统（Solar power system）的简称，太阳能光伏效应，简称光伏 （PV），又称为光生伏特效应（Photovoltaic），是指光 照时不均匀半导体或半导体与金属组合的部位间产生电位 差的现象。是一种利用太阳电池半导体材料的光伏效应， 将太阳光辐射能直接转换为电能的一种新型发电系统，有 独立运行和并网运行两种方式。

　　2)能量密度低，开发利用需要较大空间； 3)不含碳或含碳量很少，对环境影响小； 4)分布广，有利于小规模分散利用； 5)间断式供应，波动性大，对持续供能不利； 6)除水电外，可再生能源的开发利用成本较化石能源高。

　　太阳能一般指太阳光的辐射能量。太阳能的主要利用 形式有太阳能的光热转换、光电转换以及光化学转换 三种主要方式。广义上的太阳能是地球上许多能量的 来源，如风能，化学能，水的势能等由太阳能导致或 转化成的能量形式。利用太阳能的方法主要有：太阳 能电池，通过光电转换把太阳光中包含的能量转化为 电能；太阳能热水器，利用太阳光的热量加热水，并 利用热水发电等。太阳能清洁环保，无任何污染，利 用价值高，太阳能更没有能源短缺这一说法，其种种 优点决定了其在能源更替中的不可取代的地位。

　　1)资源丰富，普遍具备可再生特性NG体育，可供人类永续利用； 比如，陆上估计可开发利用的风力资源为253GW, 而截止 2003年只有0.57GW被开发利用，预计到2010年可以利用的 达到4GW, 到2020年到20GW，而太阳能光伏并网和离网应 用量预计到2020年可以从的0.03GW增加1至2个GW。

　　形式。指刚开始开发利用或正在积极研究、有待推广 的能源，如太阳能、地热能、风能、海洋能、生物质 能和核聚变能等。就不会有黑暗——longdu2

　　据分析，2001年以来我国能源消费结构并没有发生显著的 改变。石化能源，特别是煤炭消费在一次能源消费中一直 居于主导地位，所占的比重分别达到九成和六成以上。

　　硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载 流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。

　　导电类型 导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。P型单晶 多掺硼，N型单晶多掺磷,外延片衬底用N型单晶掺锑或砷。

　　电阻率与均匀度 拉制单晶时掺入一定杂质以控制单晶的电阻 率。由于杂质分布不匀，电阻率也不均匀。电阻率均匀性包括 纵向电阻率均匀度、断面电阻率均匀度和微区电阻率均匀度。 它直接影响器件参数的一致性和成品率。

　　热导率较大。化学性质稳定，又易于形成稳定的热氧化膜。 在平面型硅器件制造中可以用氧化膜实现PN结表面钝化和 保护，还可以形成金属-氧化物-半导体结构,制造MOS场效 应晶体管和集成电路。上述性质使PN结具有良好特性，使 硅器件具有耐高压、反向漏电流小、效率高、使用寿命长、 可靠性好、热传导好，并能在200高温下运行等优点。

　　据估算，每年辐射到地球上的太阳能为17.8亿千瓦，其中 可开发利用500～1000亿度。但因其分布很分散，能利用的 甚微。地热能资源指陆地下5000米深度内的岩石和水体的 总含热量。其中全球陆地部分3公里深度内、150℃以上的 高温地热能资源为140万吨标准煤，一些国家已着手商业开 发利用。世界风能的潜力约3500亿千瓦，因风力断续分散， 难以经济地利用，今后输能储能技术如有重大改进，风力 利用将会增加。海洋能包括潮汐能、波浪能、海水温差能 等，理论储量十分可观。